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長(cháng)江存儲國家存儲器基地項目（一期）
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長(cháng)江存儲科技有限責任公司國家存儲器基地項目（一期）
12
英寸
3D NAND Flash
閃存芯片生産
建築面積
62
萬平米；投資額
80
億美(měi)元；
工作範圍包括工程總承包
SAME SERIES OF PROJECTS
長(cháng)江存儲國家存儲器基地項目（一期）
紫光(guāng)南(nán)京12英寸存儲器項目
株洲南(nán)車8英寸IGBT芯片項目
英諾賽科8英寸氮化(huà)镓項目
西安奕斯偉項目12寸矽片
天津三安光(guāng)電砷化(huà)镓/氮化(huà)镓超高(gāo)亮度發光(guāng)二極管
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三星12英寸3D NAND Flash芯片一期、二期項目
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美(měi)光(guāng)半導體西安集成電路封裝測試項目
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廣州粵芯半導體項目-12寸晶圓制造廠
Produced By CMS 網站群内容管理(lǐ)系統 publishdate:2022/06/02 14:13:10
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