長(cháng)江存儲國家存儲器基地項目（一期）

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長(cháng)江存儲科技有限責任公司國家存儲器基地項目（一期）

12英寸3D NAND Flash 閃存芯片生産

建築面積62萬平米；投資額80億美(měi)元；

工作範圍包括工程總承包

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