三星12英寸3D NAND Flash芯片一期、二期項目    建築面積54萬平方米，投資額100億美(měi)元；  服務範圍包括咨詢總包、設計

獲獎情況：國家優質工程獎

2016年度電子信息行業電子工程優秀設計一等獎