近日，我院希達工程承接的(de)英諾賽科（蘇州）半導體有限公司研發樓EPC總承包項目——全球研發中心啓用(yòng)儀式在吳江汾湖隆重舉行，電子院總建築師劉書(shū)興、希達工程董事長(cháng)劉奕、副總經理(lǐ)劉玥受邀出席儀式。

英諾賽科（蘇州）全球研發中心啓用(yòng)儀式

        英諾賽科（蘇州）半導體有限公司研發樓項目是繼蘇州工廠項目後，我院希達工程與英諾賽科公司繼續深入合作的(de)又一EPC總承包項目。研發樓是集研發、辦公、會議(yì)、培訓、展覽、接待、餐飲、交流、休憩等功能于一體的(de)英諾賽科全球研發中心和(hé)基地，研發中心的(de)啓用(yòng)是英諾賽科第三代半導體全球化(huà)的(de)又一重大(dà)裏程碑。 

        英諾賽科（蘇州）研發樓EPC總承包項目自2021年11月(yuè)26日正式開工，2023年11月(yuè)20日全球研發中心正式啓用(yòng)。兩年的(de)建造過程中，希達人(rén)面對(duì)建築造型獨特、結構複雜(zá)、異型構件多(duō)等多(duō)重困難與挑戰，繼承和(hé)發揚敢想敢幹、能打苦仗、能打硬仗的(de)拼搏精神，用(yòng)心超越期望，打造出讓客戶滿意的(de)精品工程，赢得(de)客戶的(de)高(gāo)度信賴和(hé)認可(kě)。

啓用(yòng)儀式上希達項目成員(yuán)合影(yǐng)

        随著(zhe)項目的(de)成功交付和(hé)啓用(yòng)，希達工程将繼續總結經驗，提升隊伍綜合能力，不斷開拓進取，創新突破，爲電子院的(de)高(gāo)質量發展貢獻希達智慧和(hé)力量。

        英諾賽科是全球領先的(de)第三代半導體高(gāo)新技術企業，緻力于矽基氮化(huà)镓 (GaN-on-Si) 的(de)研發與制造。擁有全球最大(dà)規模的(de)8英寸矽基氮化(huà)镓晶圓生産基地，當前産能15000片/月(yuè)，産品設計及性能處于國際先進水(shuǐ)平。英諾賽科提供從30V-700V的(de)高(gāo)、中、低壓全功率氮化(huà)镓産品，涵蓋晶圓、分(fēn)立器件、合封芯片三大(dà)品類，并爲客戶提供全氮化(huà)镓方案設計參考。自2015年成立至今，英諾賽科已獲專利700多(duō)項，累計出貨量突破4億顆。産品可(kě)廣泛應用(yòng)于消費電子、數據中心、汽車電子及新能源等前沿領域。

蘇州英諾賽科（蘇州）研發中心實景圖