近日，由我院希達工程以EPC模式承建的(de)英諾賽科（蘇州）半導體有限公司新建半導體生産廠房(fáng)等項目新建研發樓開工儀式在吳江汾湖隆重舉行，希達公司負責人(rén)受邀出席開工儀式。

研發樓開工儀式

研發樓開工儀式

　　英諾賽科(蘇州)半導體芯片項目坐(zuò)落于蘇州市吳江區(qū)汾湖高(gāo)新技術産業開發區(qū)，項目聚焦在第三代半導體材料氮化(huà)镓，将成爲一個(gè)集研發、設計、外延生長(cháng)、芯片制造、測試與失效分(fēn)析爲一體的(de)第三代半導體生産平台。該項目将被打造成爲全球領先的(de)8英寸矽基氮化(huà)镓量産基地，其生産的(de)氮化(huà)镓功率器件、功率模塊和(hé)射頻(pín)器件，将全面助力新能源汽車、5G通(tōng)信、人(rén)工智能、無線充電與快(kuài)充、數據中心及激光(guāng)雷達等行業高(gāo)效、節能、綠色發展。研發樓項目的(de)正式啓動是繼生産廠房(fáng)量産之後又一重要裏程碑事件，該研發樓的(de)建成将成爲汾湖乃至吳江的(de)地标性建築，也(yě)預示著(zhe)未來(lái)将有更多(duō)創新成果在此誕生。

　　繼蘇州英諾賽科一期項目圓滿成功之後，希達工程再次承建英諾賽科研發樓項目，這(zhè)也(yě)标志著(zhe)英諾賽科與公司的(de)合作更加緊密。

英諾賽科（蘇州）半導體有限公司全廠鳥瞰效果圖

研發樓效果圖