近日，由我院北(běi)京世源希達工程技術有限公司承接EPC總包的(de)英諾賽科（蘇州）第三代半導體芯片項目工藝設備搬入儀式在蘇州汾湖隆重舉行。我院總經理(lǐ)婁宇應邀出席并緻辭，希達工程總經理(lǐ)劉奕、副總經理(lǐ)及項目部人(rén)員(yuán)參加了(le)搬入儀式。

　　在活動儀式上，國家集成電路産業投資基金總裁丁文武、江蘇省蘇州市副市長(cháng)陸春雲、吳江區(qū)委書(shū)記李銘、吳江區(qū)委常委、汾湖高(gāo)新區(qū)黨工委書(shū)記萬利、吳江區(qū)人(rén)民政府副區(qū)長(cháng)、汾湖高(gāo)新區(qū)黨工委副書(shū)記、管委會主任張炳高(gāo)、吳江區(qū)副區(qū)長(cháng)戚振宇、第三代半導體産業聯盟秘書(shū)長(cháng)于坤山、中國半導體行業協會原秘書(shū)長(cháng)徐小田，英諾賽科董事長(cháng)駱薇薇、總經理(lǐ)孫在亨等以及參建單位、合作單位等近400人(rén)出席。

　　
　　在活動緻詞環節，婁宇對(duì)項目克服了(le)疫情和(hé)異常天氣帶來(lái)的(de)不利影(yǐng)響，工藝設備如期搬入表示熱(rè)烈的(de)祝賀，對(duì)于業主的(de)信任、項目當地各級政府的(de)關心和(hé)支持以及各參建單位的(de)努力付出和(hé)團結協作表示衷心的(de)感謝。他(tā)表示要繼續保持高(gāo)昂的(de)建設激情，與所有建設單位一起努力，在确保品質和(hé)安全的(de)前提下(xià)，按期交付工廠的(de)所有系統，并爲業主的(de)機台安裝調試、産能爬升提供最有利的(de)支持和(hé)保障。
　　在活動中，婁宇還(hái)與駱薇薇博士及相關領導進行了(le)溝通(tōng)交流。活動後，婁宇慰問了(le)希達工程項目組成員(yuán)，并與現場(chǎng)全體員(yuán)工合影(yǐng)留念。

　　英諾賽科(蘇州)半導體芯片項目坐(zuò)落于蘇州市吳江區(qū)汾湖高(gāo)新技術産業開發區(qū)，總占地面積368畝，一期建築總面積約17萬平方米，總投資60億元。蘇州英諾賽科半導體項目聚焦在第三代半導體材料氮化(huà)镓，将成爲一個(gè)集研發、設計、外延生長(cháng)、芯片制造、測試與失效分(fēn)析爲一體的(de)第三代半導體生産平台。項目建設過程中有近50家承包商參與建設，自2018年6月(yuè)23日項目奠基開始，曆時(shí)2年3個(gè)月(yuè)，期間項目團隊克服疫情等不利條件的(de)影(yǐng)響，保證了(le)設備如期搬入。

　　随著(zhe)設備的(de)搬入，标著(zhe)作爲中國“芯”動力的(de)英諾賽科蘇州第三代半導體積極進入試生産階段，也(yě)标志著(zhe)全球最大(dà)氮化(huà)镓工廠正式建設完成。