院副總經理(lǐ)王立出席英諾賽科(蘇州)新建半導體項目奠基儀式

日期: 2018-07-02

       近日,由我院世源科技公司和(hé)希達工程公司聯合承接的(de)英諾賽科(蘇州)半導體有限公司新建半導體生産廠房(fáng)等項目,在江蘇吳江汾湖高(gāo)新技術開發區(qū)舉行了(le)奠基儀式。院副總經理(lǐ)、希達工程董事長(cháng)王立出席并緻辭,希達工程公司總經理(lǐ)劉奕等陪同出席。
       在儀式期間,王立副總經理(lǐ)還(hái)與英諾賽科公司董事長(cháng)駱薇薇博士和(hé)CEO孫在享先生進行了(le)溝通(tōng)交流。英諾賽科(蘇州)半導體有限公司新建半導體生産廠房(fáng)等項目總投資約60億元人(rén)民币,其中一期投資約20億元。廠區(qū)規劃總用(yòng)地面積近370畝,廠區(qū)規劃總建築面積近29萬m2。此次,我院希達工程公司和(hé)世源科技公司承接的(de)項目爲一期工程的(de)EPC總承包項目,用(yòng)地面積合210餘畝,總建築面積約16萬m2。廠區(qū)建成後将具有年産888K片矽基功率半導體集成電路8寸晶圓的(de)生産能力,将成爲世界一流的(de)集研發、設計、外延生産、芯片制造、分(fēn)裝測試等于一體的(de)第三代半導體全産業鏈研發生産平台,填補我國高(gāo)端半導體器件的(de)産業空白。
               
                                                                     院副總經理(lǐ)王立緻辭

               
                           英諾賽科公司董事長(cháng)駱薇薇博士和(hé)CEO孫在享先生與我院人(rén)員(yuán)合影(yǐng)

               
                                          王立副總經理(lǐ)與英諾賽科(蘇州)項目團隊合影(yǐng)

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