近日，由我院北(běi)京世源希達工程技術有限公司承接的(de)英諾賽科（蘇州）半導體芯片EPC總承包項目順利完成主廠房(fáng)封頂。
　　蘇州市市委市政府、吳江區(qū)區(qū)委區(qū)政府、汾湖高(gāo)新技術産業開發區(qū)、中國半導體行業協會、英諾賽科公司以及建設單位、合作單位相關領導及嘉賓共同出席封頂儀式。我院副總經理(lǐ)、希達工程董事長(cháng)王立，希達工程總經理(lǐ)劉奕、副總經理(lǐ)劉玥受邀出席，希達工程英諾賽科（蘇州）項目部人(rén)員(yuán)參加。
　　活動期間，院副總經理(lǐ)、希達工程董事長(cháng)王立代表院及希達工程公司緻賀詞，他(tā)對(duì)項目廠房(fáng)的(de)順利封頂表示了(le)熱(rè)烈的(de)祝賀，并對(duì)項目建設各方的(de)努力表示感謝，他(tā)表示公司将會秉持服務客戶至上的(de)理(lǐ)念繼續做(zuò)好各項服務，保障項目的(de)順利高(gāo)效實施，爲建設一個(gè)高(gāo)科技、現代化(huà)的(de)項目而爲之付出最大(dà)的(de)努力，最後祝願英諾賽科事業順利發展，項目穩步推進。随後，王立與英諾賽科公司董事長(cháng)駱薇薇博士進行了(le)深入溝通(tōng)和(hé)交流。
　　英諾賽科(蘇州)半導體芯片項目坐(zuò)落于蘇州市吳江區(qū)汾湖高(gāo)新技術産業開發區(qū)，占地面積368畝，一期總投資60億元。項目聚焦在第三代半導體材料氮化(huà)镓。項目主廠房(fáng)的(de)全面封頂，标志著(zhe)施工整體進度達到了(le)65%。按照(zhào)建設計劃，2020年第三季度通(tōng)線投産，将成爲一個(gè)集研發、設計、外延生長(cháng)、芯片制造、測試與失效分(fēn)析爲一體的(de)第三代半導體生産平台。
　　該項目建成後将被打造成爲全球領先的(de)8英寸矽基氮化(huà)镓量産基地，也(yě)是該領域全球首個(gè)大(dà)型量産基地，單月(yuè)滿産可(kě)達6-8萬片，其生産的(de)氮化(huà)镓功率器件、功率模塊和(hé)射頻(pín)器件，将全面助力新能源汽車、5G通(tōng)信、人(rén)工智能、無線充電與快(kuài)充、數據中心及激光(guāng)雷達等行業高(gāo)效、節能、綠色發展。